Name: Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4150W-G3-08
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: 1N4150W-G3-08
Price: 0.0409 USD
Availability: InStock
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4150W-G3-08

Artikelnummer:

1N4150W-G3-08

Hersteller / Marke:

Vishay General Semiconductor – Diodes Division

Teil der Beschreibung.:

DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123

Datenblätte:

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Spezifikationen
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~~Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4150W-G3-08 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments 1N4150W-G3-08.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If	1 V @ 200 mA
Spannung - Sperr (Vr) (max)	50 V
Technologie	Standard
Supplier Device-Gehäuse	SOD-123
Geschwindigkeit	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Serie	-
Rückwärts-Erholzeit (Trr)	4 ns
Verpackung / Gehäuse	SOD-123

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur - Anschluss	-55°C ~ 150°C
Befestigungsart	Surface Mount
Strom - Sperrleckstrom @ Vr	100 nA @ 50 V
Strom - Richt (Io)	200mA
Kapazität @ Vr, F	2.5pF @ 0V, 1MHz
Grundproduktnummer	1N4150
1N4150W-G3-08 Einzelheiten PDF [English]	1N4150W-G3-08 PDF - EN.pdf

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Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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